名 称:钛
符 号:Ti
原子量:47.88
熔 点:1668℃
沸 点:3277℃
密 度:4.506g/cm3
高纯钛是指纯度在4N以上的金属钛,主要制备方法有:碘化法,熔盐电解法,电子束熔炼法,电子束区熔法等。
高纯钛主要用于半导体材料,溅射靶材,合金材料及**高真空装置中的吸气材料。
我公司可提供4N5,高纯锆颗粒海绵锆块,5N高纯钛,采用美国进口原料。主要用于生产高纯度溅射靶材和金属颗粒,用于高纯度合金熔炼,蒸发镀膜等领域。
高纯钛靶材 高纯钛粉末 高纯钛颗粒 高纯钛棒状 高纯钛丝状 高纯钛片状
我们可提供钛氧化物,氮化物及其他化合物靶材,粉末等。
溅射靶材:二氧化钛靶材,氮化钛靶材,高纯锆,钛酸锶晶体靶材,钛酸钡靶材等
光学镀膜材料:二氧化钛颗粒,五氧化三钛晶体颗粒等化合物及合金氧化钛TiO2
氮化钛TiN 硼化钛TiB2 钛酸锶SrTiO3 钛酸钡BaTiO3 钛铝合金Ti-Al 钛硅合金 钛钨合金
名 称:铂
符 号:Pt
原子量:195.08
熔 点:1768.4℃
沸 点:3825℃
密 度:21.45g/cm3
高纯铂主要指纯度为4N和5N的铂。高纯铂有良好的延展性和抗腐蚀性能好,并且具有非常好的机械加工性能。高纯铂可用于实验室器皿,电极材料。用于热电偶和高温计的铂则必须纯度达到99.999%
我公司可以提供高纯铂靶材,高纯锆块锆颗粒Zr,高纯铂丝,海绵锆块,热电偶用5N铂丝,铂粒,铂片等形状。并可提供残靶,余料回收业务。
铂合金主要有镍铂合金,金铂合金等广泛应用于电子,半导体行业。我公司可以提供产品如下:
镍铂合金 Pt-Ni 4N 靶材 片状
金铂合金 Pt-Au 4N 靶材 片状
名 称:锗
符 号:Ge
原子量:72.61
熔 点:937.2℃
沸 点:2830℃
密 度:5.32g/cm3
锗为银灰色晶体,室温下晶体锗质脆;有明显的非金属性质。高纯单晶锗是制造晶体管和红外器件,光纤,太阳能电池的半导体材料。
高纯锗 Ge 5N 6N 靶材 根据要求定制
高纯锗 Ge 5N 粉末 -60目
高纯锗 Ge 5N 6N 颗粒 1-6mm
高纯锗 Ge 5N 6N 柱状 φ3-50mm
高纯锗合金在半导体行业有着非常重要的应用,我们可以提供金锗合金,金锗镍合金用于蒸发电极等方面,也可以提供锗的化合物:氧化锗,碲化锗合金及化合物
二氧化锗 GeO2 5N 6N 粉末 颗粒
金锗合金 AuGe12 4N 靶材 片状
金锗镍合金 AuGeNi 4N 靶材 片状
碲化锗 GeTe 4N 靶材